对于金属导体而言，载流子浓度n可达 1X1023/cm³。载流子的带电量为e，如果在1T的磁场，1A的电流情形下，可以估算 0.5 cm 粗的导线产生的霍尔电势差约为10-8V，可见在金属导体中霍尔效应并不明显。

   对于半导体而言，其内部载流子浓度较导体而言非常低，大约在1010/cm³到1016/cm³之间，在同等条件下产生的霍尔电势差可达100V的数量级，因此，霍尔效应主要表现在半导体元器件中。此外，与金属导体的载流子为单一的电子不同，不同类型半导体内部的载流子电性不一定为负。例如，对于空穴导电的半导体来说，霍尔系数为正；而对于电子导体的半导体霍尔系数为负。

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